Samsung har presentert en banebrytende transistorteknologi med tredimensjonalt stablede felt-effekt-transistorer og tredoble nanoarkkkanaler på 42 nanometer, noe som kan bane vei for neste generasjons brikker.

Kilde: https://semiconductor.samsung.com/news-events/tech-blog/from-gaa-to-3d-stacked-fet-expanding-the-transistor-into-the-third-dimension/